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IRF9332PbF
Id
Vds
Vgs
L
0
1K
20K
S S
DUT
VCC
Vgs(th)
Qgodr
Qgd
Qgs2 Qgs1
Fig 17a. Gate Charge Test Circuit
Fig 17b. Gate Charge Waveform
VDS
R G
L
D.U.T
VDD
I AS
GS
-20V
tp
IAS
0.01 ?
DRIVER
A
tp
V (BR)DSS
15V
Fig 18a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 18b. Unclamped Inductive Waveforms
V DS
R D
t d(on)
t r
t d(off)
t f
R G
V GS
D.U.T.
V GS
10%
V DD
6
-V GS
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 19a. Switching Time Test Circuit
90%
V DS
Fig 19b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
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IRF9333TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -9.2A 19.4mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9335PBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -30V -5.4A 59mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF9335TRPBF 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 59mOhms 4.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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IRF9358TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -9.2A 16.3mOhm -4.5V capbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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